Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF06DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 19,30

(excl. BTW)

€ 23,36

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 80€ 0,965€ 19,30
100 - 180€ 0,819€ 16,38
200 - 480€ 0,676€ 13,52
500 - 980€ 0,613€ 12,26
1000 +€ 0,598€ 11,96

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7260
Fabrikantnummer:
SISF06DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

101A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSF06DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0045Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.73mm

Width

3.3 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET is an integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package.

Very low source-to-source on resistance

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links