onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTHL040N120SC1

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 29,39

(excl. BTW)

€ 35,562

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tekort aan aanbod
Wegens beperkingen in de bevoorradingsketen worden de voorraden toegewezen naarmate zij beschikbaar komen.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 14,695€ 29,39

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
202-5705
Fabrikantnummer:
NTHL040N120SC1
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

NTH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

348W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

20.25mm

Standards/Approvals

No

Height

15.87mm

Width

4.82 mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.

40mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

Gerelateerde Links