onsemi NVMYS1D3N04C Type N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS1D3N04CTWG

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 7,14

(excl. BTW)

€ 8,64

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 3.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 +€ 1,785€ 7,14

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
185-9246
Fabrikantnummer:
NVMYS1D3N04CTWG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

252A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

NVMYS1D3N04C

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

75nC

Maximum Power Dissipation Pd

134W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

4.25 mm

Length

5mm

Height

1.2mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Niet conform

Land van herkomst:
PH
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

Gerelateerde Links