Vishay Dual Plus Integrated Schottky 2 Type P-Channel MOSFET, 4.5 A, 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L SIA817EDJ-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 7,575

(excl. BTW)

€ 9,175

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 225€ 0,303€ 7,58
250 - 600€ 0,297€ 7,43
625 - 1225€ 0,224€ 5,60
1250 - 2475€ 0,179€ 4,48
2500 +€ 0,136€ 3,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
180-7827
Fabrikantnummer:
SIA817EDJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SC-70-6L

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.065Ω

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

6.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.56V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.6nC

Transistor Configuration

Dual Plus Integrated Schottky

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2.05mm

Width

2.05 mm

Height

0.75mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay SIA817EDJ is a P-channel MOSFET with schottky diode having drain to source(Vds) voltage of -30V. It is having configuration of dual plus integrated schottky. The gate to source voltage(VGS) is 12V. It is having power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 4.5VGS. Maximum drain current -4.5A.

Little foot plus Schottky power MOSFET

Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance thin 0.75 mm profile

Typical ESD protection (MOSFET): 1500 V (HBM)

Gerelateerde Links