Fabrikantnummer

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7190ADP-T1-RE3

RS-stocknr.:: 178-3875P
Fabrikantnummer:: Si7190ADP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7190ADP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal 50 eenheden (geleverd op een doorlopende strip)*

€ 98,00

(excl. BTW)

€ 118,50

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 09 augustus 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
50 - 95	€ 1,96
100 - 495	€ 1,522
500 - 995	€ 1,334
1000 +	€ 1,198

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 178-3875P
Fabrikantnummer:: Si7190ADP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay Siliconix

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay Siliconix
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	14.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	110mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14.9nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	56.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.07mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5.99mm
	Width	5mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay Siliconix
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 14.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.9nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 56.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.07mm
	Standards/Approvals No
	Length 5.99mm
	Width 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Vrijgesteld

Land van herkomst:: CN

TrenchFET® power MOSFET

Low thermal resistance PowerPAK® package

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.