Toshiba Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SSM6N7002KFU

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 100 eenheden)*

€ 7,10

(excl. BTW)

€ 8,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 1.300 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
100 - 400€ 0,071€ 7,10
500 - 900€ 0,062€ 6,20
1000 +€ 0,057€ 5,70

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
171-2523
Fabrikantnummer:
SSM6N7002KFU
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Forward Voltage Vf

-0.79V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.39nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Width

1.25 mm

Standards/Approvals

No

Length

2mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
TH
High-Speed Switching

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Gerelateerde Links