IXYS Type N-Channel MOSFET, 110 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PLUS264

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 514,975

(excl. BTW)

€ 623,125

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 +€ 20,599€ 514,98

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4726
Fabrikantnummer:
IXFB110N60P3
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PLUS264

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

245nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

1.89kW

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

26.59mm

Length

20.29mm

Standards/Approvals

No

Width

5.31 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links