IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
168-4500
Fabrikantnummer:
IXFP12N50P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-220

Series

HiperFET, Polar

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

500mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.66mm

Height

9.15mm

Width

4.83 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links