Vishay Si2304DDS N-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2304DDS-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
165-6932
Fabrikantnummer:
SI2304DDS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si2304DDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Width

1.4mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.