Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
165-6899
Fabrikantnummer:
SI1025X-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P, Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

135mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SC-89-6

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface, Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

8Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.4V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

1.7mm

Width

1.2 mm

Standards/Approvals

No

Height

0.6mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
PH

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links