Vishay SiHF640L N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 SIHF640L-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 45,90

(excl. BTW)

€ 55,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 mei 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 50€ 0,918€ 45,90
100 - 200€ 0,863€ 43,15
250 - 450€ 0,78€ 39,00
500 +€ 0,734€ 36,70

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
165-6089
Fabrikantnummer:
SIHF640L-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

SiHF640L

Package Type

TO-262

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Forward Voltage Vf

2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.67mm

Width

4.83mm

Standards/Approvals

No

Height

11.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.