Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 11.5 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 129,06

(excl. BTW)

€ 156,15

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 660 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 120€ 4,302€ 129,06
150 - 270€ 4,19€ 125,70
300 +€ 4,087€ 122,61

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
162-9714
Fabrikantnummer:
C3M0280090D
Fabrikant:
Wolfspeed
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Wolfspeed

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Package Type

TO-247

Series

C3M

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

4.4V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

18 V

Maximum Power Dissipation Pd

54W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

21.1 mm

Height

5.21mm

Length

16.13mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs


Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

• Enhancement-mode N-channel SiC technology

• High Drain-Source breakdown voltages - up to 1200V

• Multiple devices are easy to parallel and simple to drive

• High speed switching with low on-resistance

• Latch-up resistant operation

MOSFET Transistors, Wolfspeed


Gerelateerde Links