Vishay SiR692DP N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR692DP-T1-RE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.

Alternatief

Dit product is momenteel niet beschikbaar. Hierbij onze aanbeveling voor een alternatief product.

Per stuk (in een verpakking 5)

€ 12,12

(excl. BTW)

€ 14,67

(incl. BTW)

RS-stocknr.:
134-9163
Fabrikantnummer:
SIR692DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

SO-8

Series

SiR692DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25.3nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.