Fabrikantnummer

Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 35 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin TO-247

RS-stocknr.:: 125-3453P
Fabrikantnummer:: C3M0065100K
Fabrikant:: Wolfspeed

Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 35 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin TO-247

Subtotaal 1 eenheid (geleverd in een buis)*

€ 11,03

(excl. BTW)

€ 13,35

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Laatste voorraad RS

Laatste 1.233 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Aantal stuks	Per stuk
1 +	€ 11,03

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 125-3453P
Fabrikantnummer:: C3M0065100K
Fabrikant:: Wolfspeed

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Wolfspeed
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1kV
	Series	C3M
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	90mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	4.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	19V
	Maximum Power Dissipation Pd	113.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.21mm
	Length	16.13mm
	Height	23.6mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Wolfspeed
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV
	Series C3M
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 4.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 19V
	Maximum Power Dissipation Pd 113.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.21mm
	Length 16.13mm
	Height 23.6mm
	Automotive Standard No

Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.

New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology

Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range

New low-impedance package with driver source

8 mm of creepage/clearance between Drain and Source

High-speed switching with low output capacitance

High blocking voltage with low Drain-Source On-State Resistance

Avalanche ruggedness

Fast intrinsic diode with low Reverse Recovery

MOSFET Transistors, Cree Inc.

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.