Fabrikantnummer

ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

RS-stocknr.:: 780-669
Fabrikantnummer:: SCT2H12NWBTL1
Fabrikant:: ROHM

ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 2 eenheden)*

€ 6,76

(excl. BTW)

€ 8,18

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Op voorraad

560 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per rol*
2 - 18	€ 3,38	€ 6,76
20 - 98	€ 2,975	€ 5,95
100 +	€ 2,40	€ 4,80

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 780-669
Fabrikantnummer:: SCT2H12NWBTL1
Fabrikant:: ROHM

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	ROHM
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.7kV
	Package Type	TO
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	0mV
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Width	10.2mm
	Length	15.5mm
	Height	4.5mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk ROHM
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.7kV
	Package Type TO
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 0mV
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Width 10.2mm
	Length 15.5mm
	Height 4.5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCT2H12NWBTL1

The ROHM Silicon Carbide MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-voltage industrial power management. This Advanced SiC device is engineered for auxiliary power supplies, ensuring superior thermal conductivity and lower switching losses compared to traditional silicon components.

Drain to source voltage of 1700 V

Continuous drain current of 3.9 A

1.15 Ohm typical on-resistance

High power dissipation of 39 W

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.