Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 339 A, 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH99N06NM5ATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,82

(excl. BTW)

€ 7,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 21 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 5,82
10 - 99€ 3,97
100 - 499€ 2,86
500 - 2999€ 2,69
3000 +€ 2,48

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-986
Fabrikantnummer:
IQFH99N06NM5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

339A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-TSON-12

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

115nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

8mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon OptiMOS 5Power-Transistor,60V optimized for low voltage drives, battery powered and synchronous rectification application. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

N-channel

Pb-free lead plating, RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.