Fabrikantnummer

Vishay SiS N-Channel MOSFET, 64 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISD5806DN-T1-UE3

RS-stocknr.:: 735-136
Fabrikantnummer:: SISD5806DN-T1-UE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SiS N-Channel MOSFET, 64 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISD5806DN-T1-UE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,44

(excl. BTW)

€ 2,95

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Op voorraad

Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 12 oktober 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
1 - 9	€ 2,44
10 - 99	€ 1,55
100 - 499	€ 1,03
500 +	€ 0,84

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 735-136
Fabrikantnummer:: SISD5806DN-T1-UE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	SiS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0069Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	80V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	4mm
	Width	4mm
	Height	1mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series SiS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0069Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 80V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 4mm
	Width 4mm
	Height 1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiSD5806DN

Land van herkomst:: DE

The Vishay N-Channel MOSFET rated for 80V drain-source voltage, specifically engineered for low-loss operation in AI power server solutions and high-efficiency DC/DC converters.

64A continuous drain current at TC=25°C

57W maximum power dissipation

33nC maximum total gate charge

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.