Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET, 375 A, 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 719,62

(excl. BTW)

€ 870,74

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 15 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 719,62

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-915
Fabrikantnummer:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

375A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Package Type

AG-EASY2B

Series

F3L6MR

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

6.15V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Height

12.255mm

Length

62.8mm

Width

48 mm

Automotive Standard

No

The Infineon Easy pack 2B CoolSiC MOSFET 3-level module 2000 V, 6 mΩ with NTC temperature sensor, Press FIT Contact Technology and aluminum nitride ceramic.

Very low module stray inductance

Press FIT pins

Integrated NTC temperature sensor

Wide gate source voltage range

Low switching & conduction losses

Gerelateerde Links