Fabrikantnummer

Microchip PD70224 N-Channel MOSFET, 2 A, 74 V, 40-Pin QFN PD70224ILQ-TR

RS-stocknr.:: 333-012
Fabrikantnummer:: PD70224ILQ-TR
Fabrikant:: Microchip

Microchip PD70224 N-Channel MOSFET, 2 A, 74 V, 40-Pin QFN PD70224ILQ-TR

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 7.848,00

(excl. BTW)

€ 9.496,00

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 19 januari 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per rol*
2000 +	€ 3,924	€ 7.848,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 333-012
Fabrikantnummer:: PD70224ILQ-TR
Fabrikant:: Microchip

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Microchip
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	74V
	Series	PD70224
	Package Type	QFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	40
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.26Ω
	Forward Voltage Vf	192mV
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Height	1mm
	Length	6mm
	Width	8mm
	Standards/Approvals	IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Microchip
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 74V
	Series PD70224
	Package Type QFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 40
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.26Ω
	Forward Voltage Vf 192mV
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Height 1mm
	Length 6mm
	Width 8mm
	Standards/Approvals IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - PD70224ILQ-TR

The Microchip Dual pack of MOSFET based full bridge rectifiers. It contains low Rds 0.16Ω N channel MOSFETs for much higher overall efficiency and higher output power, particularly when used in Powered Devices (PDs) for PoE applications. The entire drive circuitry for driving the MOSFETs is on chip, including a charge pump for driving the high side N channel MOSFETs.

Active circuit with low forward drop to replace dissipative passive diode bridges

Self contained drive circuitry for MOSFETs

Designed to support IEEE-802.3af / at / bt and PoH

Integrated 0.16 Ohm N channel MOSFETs for 0.3 Ohm total path resistance

Power present indicator signals for identifying 4 pair bridge power

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.