Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 325 A, 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-40SSHJ

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 5.900,00

(excl. BTW)

€ 7.140,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.000 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 2,95€ 5.900,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
219-470
Fabrikantnummer:
PSMN1R0-40SSHJ
Fabrikant:
Nexperia
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

325A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

PSM

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

137nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.6mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

8mm

Width

8 mm

Automotive Standard

No

The Nexperia N-Channel MOSFET features NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETS with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.

Low parasitic inductance and resistance

Avalanche rated

Wave solder able

Superfast switching with soft recovery

Gerelateerde Links