STMicroelectronics HB Type P-Channel MOSFET, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STGSH80HB65DAG

Subtotaal (1 rol van 200 eenheden)*

€ 5.556,00

(excl. BTW)

€ 6.722,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 200 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
200 +€ 27,78€ 5.556,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
152-181
Fabrikantnummer:
STGSH80HB65DAG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

ACEPACK SMIT

Series

HB

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

1.9V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

456nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.05mm

Width

33.20 mm

Length

25.20mm

Standards/Approvals

Automotive-grade

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics device combines two IGBTs and diodes in half-bridge topology mounted on a very Compact and rugged easily surface-mounted package. The device is part of the HB series IGBTs, which is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is included in every switch.

AQG 324 qualified

High-speed switching series

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance thanks to DBC substrate

Gerelateerde Links