STMicroelectronics SuperMESH N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD4NK60ZT4

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.560,00

(excl. BTW)

€ 1.887,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.500 stuk(s) vanaf 13 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 - 2500€ 0,624€ 1.560,00
5000 +€ 0,615€ 1.537,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
151-439
Fabrikantnummer:
STD4NK60ZT4
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SuperMESH

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18.8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

2.39mm

Width

6.73mm

Length

10.34mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener protected

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.