Toshiba GT40QR21,F(O IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 4,82

(excl. BTW)

€ 5,83

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1 stuk(s) klaar voor verzending
  • 3 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 4,82
5 +€ 4,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
891-2743
Fabrikantnummer:
GT40QR21,F(O
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Maximum Power Dissipation

230 W

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

2.5MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.5 x 4.5 x 20mm

Maximum Operating Temperature

175 °C

Gate Capacitance

1500pF

Energy Rating

0.29mJ

Land van herkomst:
JP

IGBT Discretes, Toshiba



IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links