Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 5,65

(excl. BTW)

€ 6,85

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 85 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,13€ 5,65
50 - 495€ 0,944€ 4,72
500 - 995€ 0,808€ 4,04
1000 - 2495€ 0,794€ 3,97
2500 +€ 0,774€ 3,87

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-5240
Fabrikantnummer:
BSC16DN25NS3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

62.5 W

Package Type

PG-TDSON-8

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

8

The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET with 150 degree Celsius operating temperature. It is an optimized for dc to dc conversion. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant
Pb free lead plating
Low on resistance
Excellent gate charge

Gerelateerde Links