Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 8.415,00

(excl. BTW)

€ 10.180,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 1,683€ 8.415,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-5239
Fabrikantnummer:
BSC16DN25NS3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

62.5 W

Package Type

PG-TDSON-8

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

8

The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET with 150 degree Celsius operating temperature. It is an optimized for dc to dc conversion. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant
Pb free lead plating
Low on resistance
Excellent gate charge

Gerelateerde Links