Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 3,52

(excl. BTW)

€ 4,26

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 95 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 0,704€ 3,52
50 - 495€ 0,588€ 2,94
500 - 995€ 0,502€ 2,51
1000 - 2495€ 0,494€ 2,47
2500 +€ 0,484€ 2,42

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-5234
Fabrikantnummer:
BSC018NE2LSATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

153 A

Maximum Collector Emitter Voltage

25 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Package Type

PG-TDSON-8

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

8

The Infineon MOSFET is a 25 V N channel MOSFET. It is optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
100 percent avalanche tested

Gerelateerde Links