Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 6,43

(excl. BTW)

€ 7,78

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 458 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 3,215€ 6,43

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
259-1525
Fabrikantnummer:
IGP50N60TXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

90 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

3

Maximum Power Dissipation

333 W

Package Type

PG-TO220-3

The Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat. It is high ruggedness, temperature stable behaviour. It is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.

Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5 micro second
Low EMI
Low gate charge
Very tight parameter distribution

Gerelateerde Links