Bourns BIDNW30N60H3 IGBT, 30 A 600 V TO-247

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 4,91

(excl. BTW)

€ 5,94

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.218 stuk(s) vanaf 12 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 2,455€ 4,91

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
253-3503
Fabrikantnummer:
BIDNW30N60H3
Fabrikant:
Bourns
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Bourns

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Package Type

TO-247

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BIDNW30N60H3

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses.

600 V, 30 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Low switching loss

Fast switching

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.