Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 208,13

(excl. BTW)

€ 251,84

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 7 stuk(s) vanaf 19 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 208,13
2 - 2€ 203,96
3 +€ 183,57

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-5404
Fabrikantnummer:
FS150R12KT3BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

200 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Number of Transistors

6

Maximum Power Dissipation

700 W

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF

Gerelateerde Links