Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tray van 15 eenheden)*

€ 805,365

(excl. BTW)

€ 974,49

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
15 - 15€ 53,691€ 805,37
30 +€ 51,005€ 765,08

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
244-5389
Fabrikantnummer:
FP25R12W2T4B11BOMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

39 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation

175 W

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF

Gerelateerde Links