Infineon AIKW50N65RF5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- RS-stocknr.:
- 228-6510
- Fabrikantnummer:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Subtotaal (1 eenheid)*
€ 4,35
(excl. BTW)
€ 5,26
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Op voorraad
- 614 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 + | € 4,35 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 228-6510
- Fabrikantnummer:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20.0V | |
| Maximum Power Dissipation | 250 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20.0V | ||
Maximum Power Dissipation 250 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
The Infineon AIKW50N65RF5 is hybrid power discrete with SiC power technology with best cost-performance is the most important aspect for auxiliary applications in electric vehicles and hybrid vehicles. The hybrid of 650V TRENCHSTOP 5 AUTO fast switching IGBT and CoolSiC Schottky diode to enable a cost efficient performance boost for fast switching automotive applications such as on board charger, PFC, DC-DC and DC-AC.
Trenchstop 5 fast switching IGBT
Best in class efficiency in hard switching and resonant topologies
Low gate charge QG
Maximum junction temperature 175°C
Best in class efficiency in hard switching and resonant topologies
Low gate charge QG
Maximum junction temperature 175°C
Gerelateerde Links
- Infineon AIKW50N65RF5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247
- Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW75N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
