IXYS IXGH40N120B2D1 IGBT, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 17,54

(excl. BTW)

€ 21,22

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 39 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 50 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 17,54
5 - 19€ 15,10
20 - 49€ 14,45
50 - 99€ 12,59
100 +€ 12,29

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
192-988
Fabrikantnummer:
IXGH40N120B2D1
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.26 x 5.3 x 21.46mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

IGBT Discretes, IXYS



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links