Infineon BFP842ESDH6327XTSA1 Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 3.7 V, 4-Pin SOT-343
- RS-stocknr.:
- 273-2850
- Fabrikantnummer:
- BFP842ESDH6327XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 2,93
(excl. BTW)
€ 3,55
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00
Beperkte voorraad
- 90 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,293 | € 2,93 |
| 50 - 90 | € 0,287 | € 2,87 |
| 100 - 240 | € 0,218 | € 2,18 |
| 250 - 990 | € 0,214 | € 2,14 |
| 1000 + | € 0,167 | € 1,67 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 273-2850
- Fabrikantnummer:
- BFP842ESDH6327XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 40mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 3.7V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 4.1V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Transition Frequency ft | 57GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 120mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 40mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 3.7V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 4.1V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Transition Frequency ft 57GHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 120mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22, RoHS | ||
The Infineon high performance RF heterojunction bipolar transistor with an integrated ESD protection suitable for 2.3 to 3.5 GHz LNA applications.
Suitable for low voltage applications
It has application in wireless communications like WLAN, WiMAX and Bluetooth
Gerelateerde Links
- Infineon BFP842ESDH6327XTSA1 Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 3.7 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP842ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 3.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon Bipolar Transistor, 70 mA NPN, 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP760H6327XTSA1 Bipolar Transistor, 70 mA NPN, 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor, 25 mA NPN, 15 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor, 150 mA NPN, 12 V, 4-Pin SOT-343