Infineon BFR182E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle Bipolar Transistors
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 4,15

(excl. BTW)

€ 5,025

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.050 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 225€ 0,166€ 4,15
250 - 600€ 0,158€ 3,95
625 - 1225€ 0,151€ 3,78
1250 - 2475€ 0,144€ 3,60
2500 +€ 0,10€ 2,50

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-7726
Artikelnummer Distrelec:
304-40-491
Fabrikantnummer:
BFR182E6327HTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

35mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Standards/Approvals

RoHS

Height

1mm

Length

2.9mm

Series

BFR182

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications.

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

Gerelateerde Links