Infineon Bipolar Transistor, 20 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle Bipolar Transistors

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 318,00

(excl. BTW)

€ 384,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 24 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,106€ 318,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-6991
Fabrikantnummer:
BFR181E6327HTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

20mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Power Dissipation Pd

175mW

Maximum Transition Frequency ft

3GHz

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

2.9mm

Series

BAR63

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications.

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

Gerelateerde Links