onsemi Digital Transistor, 80 V dc NPN Through Hole TO-220, 3-Pin

Bekijk alle Bipolar Transistors
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 35,40

(excl. BTW)

€ 42,85

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 150 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 50€ 0,708€ 35,40
100 - 200€ 0,532€ 26,60
250 - 450€ 0,526€ 26,30
500 - 950€ 0,451€ 22,55
1000 +€ 0,368€ 18,40

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
186-7368
Fabrikantnummer:
BDX53BG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

Digital Transistor

Package Type

TO-220

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

80V dc

Mount Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

80V dc

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V dc

Minimum DC Current Gain hFE

750

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Standards/Approvals

No

Length

10.53mm

Height

9.28mm

Series

BDX53B

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The 8 A, 100 V, 65 W PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose and low speed switching applications. The BDX53B, BDX53C, BDX54B and BDX54C are complementary devices.

High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

Collector Emitter Sustaining Voltage @ 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) BDX53B, 54B VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BDX53C, 54C

Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc VCE(sat) = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc

Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors

TO-220AB Compact Package

Pb-Free Packages are Available

Gerelateerde Links