onsemi Digital Transistor, 80 V dc NPN Through Hole TO-220, 3-Pin

Bekijk alle Bipolar Transistors
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 33,80

(excl. BTW)

€ 40,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 50 stuk(s) vanaf 04 juni 2026
  • Plus verzending 50 stuk(s) vanaf 24 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 50€ 0,676€ 33,80
100 - 200€ 0,507€ 25,35
250 - 450€ 0,501€ 25,05
500 - 950€ 0,429€ 21,45
1000 +€ 0,362€ 18,10

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
186-7366
Fabrikantnummer:
BDX33BG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

Digital Transistor

Package Type

TO-220

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

80V dc

Mount Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

80V dc

Transistor Polarity

NPN

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V dc

Minimum DC Current Gain hFE

750

Maximum Power Dissipation Pd

70W

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Length

10.53mm

Height

9.28mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose and low speed switching applications. The BDX33B, BDX33C, BDX34B and BDX34C are complementary devices.

High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ.) at IC = 4.0

Collector-Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX33B, 34B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX33C, 34C

Low Collector-Emitter Saturation Voltage CE(sat) = 2.5 Vdc (max.) at IC = 3.0 Adc BDX33B, 33C/34B, 34C

Monolithic Construction with Build-In Base-Emitter Shunt resistors

TO-220AB Compact Package

Pb-Free Packages are Available

Gerelateerde Links