Infineon 4 V 110 mA Diode TSLP

Bekijk deze categorie

Subtotaal (1 rol van 15000 eenheden)*

€ 3.030,00

(excl. BTW)

€ 3.660,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
15000 +€ 0,202€ 3.030,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-0636
Fabrikantnummer:
BAT1502ELE6327XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Diode

Mount Type

Surface

Package Type

TSLP

Maximum Continuous Forward Current If

110mA

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

4V

Diode Configuration

Single

Series

BAT15-02EL

Peak Reverse Current Ir

5μA

Maximum Forward Voltage Vf

0.41V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-02EL a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

TSLP-2-19 package with a 0402 foot print

Pb-free, RoHS compliant and halogen-free

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.