N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K0CEATMA1

RS-stocknr.:: 914-0223P
Fabrikantnummer:: IPD80R1K0CEATMA1
Fabrikant:: Infineon

N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K0CEATMA1

Prijs Per stuk (geleverd op een wiel)**. Hoeveelheden onder 150 op doorlopende strook

€ 1,16

(excl. BTW)

€ 1,40

(incl. BTW)

2340 op voorraad - levertijd is 4 werkdag(en).*

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Aantal stuks	Per stuk
10 +	€ 1,16

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 914-0223P
Fabrikantnummer:: IPD80R1K0CEATMA1
Fabrikant:: Infineon

IPD80R1K0CE MOSFET CoolMOS CE
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	5.7 A
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Series	CoolMOS™ CE
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	950 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Power Dissipation	83 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Width	6.22mm
Typical Gate Charge @ Vgs	31 nC @ 10 V
Length	6.73mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	2.41mm
Forward Diode Voltage	1.2V

N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K0CEATMA1

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET