N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R099CPATMA1

RS-stocknr.:: 753-2999P
Fabrikantnummer:: IPB60R099CPATMA1
Fabrikant:: Infineon

N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R099CPATMA1

Prijs Per stuk (geleverd op een wiel)**. Hoeveelheden onder 150 op doorlopende strook

€ 3,25

(excl. BTW)

€ 3,93

(incl. BTW)

999999 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (EU-voorraad)*

999999 op voorraad - levertijd is 3 à 5 werkdagen (UK-voorraad)

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Aantal stuks	Per stuk
1 +	€ 3,25

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 753-2999P
Fabrikantnummer:: IPB60R099CPATMA1
Fabrikant:: Infineon

IPB60R099CP, CoolMOS Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	31 A
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Series	CoolMOS CP
Package Type	D2PAK (TO-263)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	99 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Power Dissipation	255 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	60 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Length	10.31mm
Width	9.45mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	4.57mm

N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R099CPATMA1

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET