N-Channel MOSFET, 112 A, 500 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN132N50P3

RS-stocknr.:: 168-4757
Fabrikantnummer:: IXFN132N50P3
Fabrikant:: IXYS

N-Channel MOSFET, 112 A, 500 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN132N50P3

Prijs Per stuk (in een tube 10)

€ 35,915

(excl. BTW)

€ 43,457

(incl. BTW)

8 op voorraad - levertijd is 4 werkdag(en).*

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Aantal stuks	Per stuk	Per tube**
10 +	€ 35,915	€ 359,15

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 168-4757
Fabrikantnummer:: IXFN132N50P3
Fabrikant:: IXYS

IXFN132N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	112 A
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Series	HiperFET, Polar3
Package Type	SOT-227
Mounting Type	Screw Mount
Pin Count	4
Maximum Drain Source Resistance	39 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Power Dissipation	1.5 kW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	250 nC @ 10 V
Width	25.07mm
Transistor Material	Si
Length	38.23mm
Number of Elements per Chip	1
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	9.6mm

N-Channel MOSFET, 112 A, 500 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN132N50P3

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series