Onlangs gezocht

    Infineon FP50R12KT4B11BOSA1 3 Phase Bridge IGBT Module, 50 A 1200 V, 23-Pin ECONO2, PCB Mount

    RS-stocknr.:
    838-6854
    Fabrikantnummer:
    FP50R12KT4B11BOSA1
    Fabrikant:
    Infineon
    Infineon
    Bekijk alle IGBTs
    Tijdelijk niet op voorraad voor levertijd of een alternatief product neem contact op via Live Chat of zoek een vergelijkbaar product op de website.
    Add to Basket
    Aantal stuks

    Dit product is momenteel niet beschikbaar voor nabestelling.

    We hebben dit product helaas niet op voorraad en het is op dit moment niet beschikbaar voor nabestelling.

    Toegevoegd

    Prijs Each

    114,57 €

    (excl. BTW)

    138,63 €

    (incl. BTW)

    Aantal stuksPer stuk
    1 - 1114,57 €
    2 - 4111,82 €
    5 +108,84 €
    RS-stocknr.:
    838-6854
    Fabrikantnummer:
    FP50R12KT4B11BOSA1
    Fabrikant:
    Infineon

    Wetgeving en conformiteit


    Productomschrijving

    IGBT Modules, Infineon


    The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
    The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.

    Package styles include: 62mm Modules, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


    IGBT Discretes & Modules, Infineon


    The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

    Specificaties

    KenmerkWaarde
    Maximum Continuous Collector Current50 A
    Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
    Maximum Gate Emitter Voltage±20V
    Maximum Power Dissipation160 W
    Package TypeECONO2
    Configuration3 Phase Bridge
    Mounting TypePCB Mount
    Channel TypeN
    Pin Count23
    Switching Speed1MHz
    Transistor Configuration3 Phase
    Dimensions107.5 x 45 x 17mm
    Maximum Operating Temperature+150 °C
    Minimum Operating Temperature-40 °C
    Tijdelijk niet op voorraad voor levertijd of een alternatief product neem contact op via Live Chat of zoek een vergelijkbaar product op de website.
    Add to Basket
    Aantal stuks

    Dit product is momenteel niet beschikbaar voor nabestelling.

    We hebben dit product helaas niet op voorraad en het is op dit moment niet beschikbaar voor nabestelling.

    Toegevoegd

    Prijs Each

    114,57 €

    (excl. BTW)

    138,63 €

    (incl. BTW)

    Aantal stuksPer stuk
    1 - 1114,57 €
    2 - 4111,82 €
    5 +108,84 €