STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,94

(excl. BTW)

€ 10,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 30 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 330 stuk(s) vanaf 26 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,894€ 8,94
50 - 90€ 0,848€ 8,48
100 - 240€ 0,822€ 8,22
250 - 490€ 0,80€ 8,00
500 +€ 0,78€ 7,80

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
795-7142
Fabrikantnummer:
STGF10NC60KD
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

9 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

25 W

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 16.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links