onsemi FGH40N60SFDTU IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 4,79

(excl. BTW)

€ 5,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 88 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 174 stuk(s) vanaf 24 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 4,79
10 +€ 4,13

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
759-9267
Fabrikantnummer:
FGH40N60SFDTU
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

290 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.6 x 4.7 x 20.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links