Fabrikantnummer

onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

RS-stocknr.:: 245-6974P
Fabrikantnummer:: NXH350N100H4Q2F2P1G
Fabrikant:: onsemi

onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

Subtotaal 1 eenheid (geleverd op een tray)*

€ 171,14

(excl. BTW)

€ 207,08

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 13 april 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
1 +	€ 171,14

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 245-6974P
Fabrikantnummer:: NXH350N100H4Q2F2P1G
Fabrikant:: onsemi

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	onsemi
	Maximum Continuous Collector Current	303 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1000 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	592 W
	Number of Transistors	4
	Package Type	Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

	Alles selecteren
	Merk onsemi
	Maximum Continuous Collector Current 303 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1000 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 592 W
	Number of Transistors 4
	Package Type Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free)

Datasheet - NXH350N100H4Q2F2P1G

Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins

The ON Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.

Extremely efficient trench with field stop technology
Low switching loss reduces system power dissipation
Module design offers high power density
Low inductive layout
Low package height
These devices are Pb free, Halogen Free and are RoHS Compliant