Infineon IGBT Module, 140 A 1200 V
- RS-stocknr.:
- 244-5858
- Fabrikantnummer:
- FS100R12KE3BOSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Subtotaal (1 tray van 10 eenheden)*
€ 956,45
(excl. BTW)
€ 1.157,30
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 20 stuk(s) vanaf 25 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per tray* |
|---|---|---|
| 10 + | € 95,645 | € 956,45 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 244-5858
- Fabrikantnummer:
- FS100R12KE3BOSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 140A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 480W | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | FS | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 140A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 480W | ||
Number of Transistors 6 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Series FS | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 480 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Maximum collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
Gerelateerde Links
- Infineon FS100R12KE3BOSA1 IGBT Module, 140 A 1200 V
- Infineon IGBT Module, 75 A 1200 V Module, Panel
- Infineon IGBT Module, 240 A 1200 V Module, Panel
- Infineon IGBT Module, 200 A 1200 V Module, Panel
- Infineon IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel
- Infineon IGBT Module, 100 A 1200 V Module, Panel
- Infineon IGBT Module, 20 A 1200 V Module, Panel
- Infineon IGBT Module, 107 A 1200 V Module, Panel