Infineon FZ825R33HE4DBPSA1 Single IGBT Module, 825 A 3300 V AG-IHVB130
- RS-stocknr.:
- 236-5199P
- Fabrikantnummer:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Subtotaal 1 eenheid (geleverd op een tray)*
€ 1.124,13
(excl. BTW)
€ 1.360,20
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Op voorraad
- Plus verzending 3 stuk(s) vanaf 15 december 2025
- Plus verzending 2 stuk(s) vanaf 22 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 + | € 1.124,13 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 236-5199P
- Fabrikantnummer:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 825 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 3300 V | |
| Maximum Power Dissipation | 2400 kW | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | AG-IHVB130 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 825 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 3300 V | ||
Maximum Power Dissipation 2400 kW | ||
Number of Transistors 2 | ||
Configuration Single | ||
Package Type AG-IHVB130 | ||
The Infineon single switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.
VCES is 3300 V
IC nom is 825 A
ICRM is 1650 A
It retains high current density
IC nom is 825 A
ICRM is 1650 A
It retains high current density