Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 Dual IGBT, 900 A 1200 V AG-ECONOD

Subtotaal (1 tray van 6 eenheden)*

€ 1.621,362

(excl. BTW)

€ 1.961,85

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 november 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
6 +€ 270,227€ 1.621,36

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
222-4797
Fabrikantnummer:
FF900R12ME7B11BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

900 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

20 mW

Package Type

AG-ECONOD

Configuration

Dual

Channel Type

N

Transistor Configuration

Common Emitter

The Infineon EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. Also available with pre-applied Thermal Interface Material.

Highest power density
Best-in-class VCE sat
Tvj op = 175°C overload
Improved terminals
Optimized creepage distance for 1500 V PV applications

Gerelateerde Links