Infineon IHW30N65R5XKSA1 IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- RS-stocknr.:
- 215-6639P
- Fabrikantnummer:
- IHW30N65R5XKSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Subtotaal 5 eenheden (geleverd in een buis)*
€ 5,39
(excl. BTW)
€ 6,52
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Op voorraad
- Plus verzending 255 stuk(s) vanaf 22 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 5 + | € 1,078 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 215-6639P
- Fabrikantnummer:
- IHW30N65R5XKSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 176 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 60 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 176 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon resonant switching series reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference