STMicroelectronics STGWT20H65FB IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 5,66

(excl. BTW)

€ 6,84

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 2,83€ 5,66
10 - 18€ 2,735€ 5,47
20 - 48€ 2,665€ 5,33
50 - 98€ 2,60€ 5,20
100 +€ 2,53€ 5,06

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
192-4809
Fabrikantnummer:
STGWT20H65FB
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

168 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Land van herkomst:
KR
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
High speed switching series
Minimized tail current
VCE(sat)= 1.55 V (typ.) @ IC= 20 A
Tight parameters distribution
Safe paralleling
Low thermal resistance
Lead free package

Gerelateerde Links